Ang Nexperia ay bubuo at gumagawa ng tatlong prosesong device sa planta nito sa Hamburg sa Germany

Para matugunan ang lumalaking pangmatagalang pangangailangan para sa high-efficiency power semiconductors, bubuo at gagawa ang Nexperia ng mga device sa tatlong proseso (SiC, GaN at Si) sa planta nito sa Hamburg, Germany, simula sa Hunyo 2024. Sa parehong buwan, ang high-voltage GaN d-mode transistor at SiC diode na linya ng produksyon ng kumpanya ay magsisimula ng produksyon. Sinabi ni Nexperia na ang susunod na milestone nito ay ang pagtatayo ng 8-pulgadang modernong cost-effective na linya ng produksyon para sa SiC MOSFET at low-voltage na GaN HEMT. Ang mga linya ng produksyon ay inaasahang makumpleto sa planta ng Hamburg sa loob ng susunod na dalawang taon.