Nexperia omoheñói ha ojapo mbohapy dispositivo proceso orekóva planta Hamburgo Alemania-pe

Oñembohovái haguã demanda okakuaáva a largo plazo semiconductor de potencia alta eficiencia, Nexperia omoheñóita ha oproduci dispositivo mbohapy proceso (SiC, GaN ha Si) planta Hamburgo, Alemania, oñepyrüva junio 2024. Upe jasype voi oñepyrûta producción transistor modo GaN de alta tensión ha línea de producción diodo SiC empresa-pe. Nexperia he'i hito oúva ha'éta construcción línea de producción moderna rentable 8 pulgadas SiC MOSFET ha GaN HEMT baja tensión. Oñeha'ãrõ umi línea de producción oñemohu'ã planta Hamburgo-pe mokõi arýpe.