जापान का चुओ ग्लास नई SiC सब्सट्रेट निर्माण तकनीक विकसित करता है

जापान की चुओ ग्लास कंपनी लिमिटेड ने हाल ही में घोषणा की है कि उसने सफलतापूर्वक एक नई सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सब्सट्रेट निर्माण तकनीक विकसित की है। इस नई तकनीक का लाभ यह है कि यह लागत को कम कर सकती है और उत्पादन बढ़ा सकती है। पारंपरिक उच्च तापमान ऊर्ध्वपातन विधि की तुलना में, बड़े आकार और उच्च गुणवत्ता वाले SiC सब्सट्रेट के निर्माण में तरल चरण विधि के स्पष्ट लाभ हैं। यह उम्मीद की जाती है कि नई प्रौद्योगिकियों के अनुप्रयोग से सब्सट्रेट्स की विनिर्माण लागत 10% से अधिक कम हो सकती है और उपज दर में उल्लेखनीय वृद्धि हो सकती है। जापान की चुओ ग्लास कंपनी लिमिटेड ने बड़ी यूरोपीय और अमेरिकी सेमीकंडक्टर कंपनियों के साथ चर्चा शुरू कर दी है, जिसका उद्देश्य ग्राहकों को नई तकनीकों से बने SiC सबस्ट्रेट्स को अपनाने की अनुमति देना है। सेंट्रल ग्लास की योजना 2024 की गर्मियों की शुरुआत में ग्राहकों को नमूने उपलब्ध कराना शुरू करने और 2027-2028 में व्यावसायीकरण हासिल करने की है।