Xinlian Integratioun hëlleft de Lokaliséierungsprozess vu Siliziumkarbidmaterialien
Xinli Semiconductor
Si
MOSFET
Mo
SiC MOS
SiC MOSFET
Si
Chip
Leeschtung
Leeschtung
Integratioun
Integratioun
Lokal
integréiert
rad
SiC
2024-06-30 07:00
197
Xinlian Integratioun huet vill Efforten am Beräich vum Siliziumkarbid investéiert Am Moment ass d'Lokaliséierungsquote vu Siliziumbaséierte Materialien ongeféier 90% erreecht, während d'Lokaliséierung vu Siliziumkarbidmaterial nach ëmmer verbessert. Dem Xinlian seng integréiert Automotive-Grad SiC MOSFET Chips si séier iteréieren, an d'Leeschtung vun der leschter G1.7 Generatioun MOSFET Chips huet de weltgréissten Niveau erreecht.
