Xinlian Integration помогает в процессе локализации материалов из карбида кремния.

Компания Xinlian Integration вложила много усилий в область карбида кремния. В настоящее время степень локализации материалов на основе кремния достигла около 90%, в то время как локализация материалов из карбида кремния все еще улучшается. Интегрированные микросхемы SiC MOSFET автомобильного класса Xinlian быстро совершенствуются, а производительность новейших MOSFET-чипов поколения G1.7 достигла мирового уровня.