Shanghai Super Silicon Semiconductor izveido pasaulē vadošo pilnībā automātisko un viedo 300 mm silīcija plāksnīšu ražošanas bāzi

Shanghai Super Silicon Semiconductor ir izveidojis 300 mm silīcija vafeles (ieskaitot plānslāņa epitaksiālās vafeles) un 200 mm silīcija vafeles (ieskaitot epitaksiālās plāksnītes, argona atkausēšanas vafeles, SOI vafeles utt.) attiecīgi arī Songjiang, Šanhajā un Čunckinā ir kristāla Circle pārstrādes ražošanas bāze. Uzņēmums ir izveidojis kopīgu progresīvu pusvadītāju materiālu tehnoloģiju laboratoriju ar pirmās klases universitātēm un ir apņēmies uzlabot produktu kvalitāti un tehnisko līmeni. Uzņēmums patstāvīgi izstrādā un ražo atslēgas kristālu augšanas iekārtas, tai skaitā lāzerkristālu augšanas iekārtas, 200 mm un 300 mm monokristāla silīcija kristālu augšanas krāsniņu sistēmas u.c. Turklāt uzņēmums ir arī pielāgojis un izstrādājis galveno 300 mm silīcija plātņu apstrādes tehnoloģiju aprīkojumu un neatkarīgi izstrādājis galveno galveno aprīkojumu SOI integrētajai ražošanai.