Beiyi Semiconductor SiC бизнесийн ахиц дэвшил

2018 онд Beiyi Semiconductor нь SiC чип боловсруулах төслийн багийг байгуулж, SiC диод болон MOSFET чипүүдийн судалгаа, төлөвлөлтийг эхлүүлсэн. 2019 онд тус компани 1200V 20A SiC JBS диодыг амжилттай үйлдвэрлэж, үйлдвэрлэлийн түвшний найдвартай байдлын үнэлгээг давсан. 2021 онд тус компанийн 1200 В-ын SiC JBS диод болон MOSFET салангид төхөөрөмжүүд нь цахилгаан хангамжийн салбарт багцын захиалга хүлээн авсан. 2022 онд Beiyi Semiconductor нь 1200V түвшний SiC MPS чипийг боловсруулж дуусгасан бөгөөд гүйдэл нь нэрлэсэн гүйдлээс 12 дахин их болсон. Нэмж дурдахад тус компани шинэ эрчим хүчний автомашинд зориулсан 750В ба 1200В-ын IGBT болон SiC модулиудын жижиг багцын захиалга авчээ. 2023 онд Beiyi Semiconductor нь 650V ба 1200V суваг шуудуу хаалганы SiC MOSFET чипийн дизайныг хийж дуусгасан.