Progresso dos negócios da Beiyi Semiconductor SiC

Em 2018, a Beiyi Semiconductor estabeleceu uma equipe de projeto de desenvolvimento de chips SiC e iniciou a pesquisa e planejamento de diodos SiC e chips MOSFET. Em 2019, a empresa produziu com sucesso diodos 1200V 20A SiC JBS e passou na avaliação de confiabilidade de nível industrial. Em 2021, os diodos SiC JBS de 1200 V e os dispositivos discretos MOSFET da empresa receberam pedidos em lote na área de fonte de alimentação. Em 2022, a Beiyi Semiconductor concluiu o desenvolvimento de chips SiC MPS de nível 1200V, com a corrente de surto atingindo 12 vezes a corrente nominal. Além disso, a empresa também recebeu pedidos de pequenos lotes para seus módulos IGBT e SiC de grau 750V e 1200V para veículos de novas energias. Em 2023, a Beiyi Semiconductor concluiu o projeto de chips SiC MOSFET de trincheira de 650 V e 1200 V.