Бизнес-прогресс Beiyi Semiconductor SiC

В 2018 году компания Beiyi Semiconductor создала проектную группу по разработке SiC-чипов и начала исследования и планирование SiC-диодов и MOSFET-чипов. В 2019 году компания успешно произвела SiC JBS-диоды на напряжение 1200 В, 20 А и прошла оценку надежности промышленного уровня. В 2021 году диоды SiC JBS компании на напряжение 1200 В и дискретные устройства MOSFET получили серийные заказы в области источников питания. В 2022 году компания Beiyi Semiconductor завершила разработку чипов SiC MPS уровня 1200 В, импульсный ток которых в 12 раз превышает номинальный ток. Кроме того, компания также получила небольшие партии заказов на модули IGBT и SiC класса 750 В и 1200 В для транспортных средств на новых источниках энергии. В 2023 году компания Beiyi Semiconductor завершила разработку микросхем SiC MOSFET с траншейным затвором на напряжение 650 В и 1200 В.