Beiyi Semiconductor SiC biznes taraqqiyoti
Beiyi yarimo'tkazgich
kichik partiya
1200V
2021 yil
650V
IGBT
Bu
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
chip
ishonchlilik
kuch
ommaviy
darajasi
er
elektr
diod
chiqish
uy
yil
SiC
2022
2023 yil
rejalashtirish
sanoat
loyiha
Bundan tashqari
2024-07-01 21:30
179
2018 yilda Beiyi Semiconductor kompaniyasi SiC chiplarini ishlab chiqish loyihasi guruhini tuzdi va SiC diodlari va MOSFET chiplarini tadqiq qilish va rejalashtirishni boshladi. 2019 yilda kompaniya 1200V 20A SiC JBS diodlarini muvaffaqiyatli ishlab chiqardi va sanoat darajasidagi ishonchlilik bahosidan o'tdi. 2021 yilda kompaniyaning 1200V SiC JBS diodlari va MOSFET diskret qurilmalari elektr ta'minoti sohasida ommaviy buyurtmalarni oldi. 2022 yilda Beiyi Semiconductor 1200V darajadagi SiC MPS chiplarini ishlab chiqishni yakunladi, kuchlanish oqimi nominal oqimdan 12 baravarga yetdi. Bundan tashqari, kompaniya yangi energiya vositalari uchun 750V va 1200V sinfidagi IGBT va SiC modullari uchun kichik partiyalar buyurtmalarini oldi. 2023 yilda Beiyi Semiconductor 650V va 1200V xandaq eshigi SiC MOSFET chiplarini loyihalashni yakunladi.
