Postęp w biznesie Beiyi Semiconductor SiC

W 2018 roku firma Beiyi Semiconductor utworzyła zespół projektowy zajmujący się rozwojem chipów SiC oraz rozpoczęła badania i planowanie diod SiC i układów MOSFET. W 2019 roku firma z sukcesem wyprodukowała diody SiC JBS 1200V 20A i przeszła ocenę niezawodności na poziomie przemysłowym. W 2021 roku produkowane przez firmę diody SiC JBS i urządzenia dyskretne MOSFET 1200 V otrzymały zamówienia seryjne w obszarze zasilania. W 2022 roku firma Beiyi Semiconductor zakończyła prace nad chipami SiC MPS na napięcie 1200 V, których prąd udarowy osiągnął 12-krotność prądu znamionowego. Ponadto firma otrzymała również zamówienia na małe partie na moduły IGBT i SiC klasy 750 V i 1200 V do pojazdów nowych generacji. W 2023 roku firma Beiyi Semiconductor zakończyła projektowanie chipów SiC MOSFET z bramką okopową na napięcie 650 V i 1200 V.