Beiyi सेमीकंडक्टर SiC व्यवसाय प्रगति

2018 में, Beiyi सेमीकंडक्टर ने एक SiC चिप विकास परियोजना टीम की स्थापना की और SiC डायोड और MOSFET चिप्स का अनुसंधान और योजना शुरू की। 2019 में, कंपनी ने सफलतापूर्वक 1200V 20A SiC JBS डायोड का उत्पादन किया और औद्योगिक-ग्रेड विश्वसनीयता मूल्यांकन पास किया। 2021 में, कंपनी के 1200V SiC JBS डायोड और MOSFET असतत उपकरणों को बिजली आपूर्ति क्षेत्र में बैच ऑर्डर प्राप्त हुए। 2022 में, Beiyi सेमीकंडक्टर ने 1200V लेवल SiC MPS चिप्स का विकास पूरा किया, जिसमें सर्ज करंट रेटेड करंट से 12 गुना तक पहुंच गया। इसके अलावा, कंपनी को नई ऊर्जा वाहनों के लिए 750V और 1200V ग्रेड IGBT और SiC मॉड्यूल के लिए छोटे बैच के ऑर्डर भी प्राप्त हुए हैं। 2023 में, Beiyi सेमीकंडक्टर ने 650V और 1200V ट्रेंच गेट SiC MOSFET चिप्स का डिज़ाइन पूरा किया।