Kemajuan perniagaan Beiyi Semiconductor SiC

Pada 2018, Beiyi Semiconductor menubuhkan pasukan projek pembangunan cip SiC dan memulakan penyelidikan dan perancangan diod SiC dan cip MOSFET. Pada 2019, syarikat itu berjaya menghasilkan diod 1200V 20A SiC JBS dan lulus penilaian kebolehpercayaan gred industri. Pada tahun 2021, diod 1200V SiC JBS dan peranti diskret MOSFET syarikat menerima pesanan kelompok dalam medan bekalan kuasa. Pada 2022, Beiyi Semiconductor menyelesaikan pembangunan cip SiC MPS tahap 1200V, dengan arus lonjakan mencecah 12 kali ganda arus undian. Selain itu, syarikat itu juga telah menerima pesanan kumpulan kecil untuk modul IGBT dan SiC gred 750V dan 1200V untuk kenderaan tenaga baharu. Pada 2023, Beiyi Semiconductor menyiapkan reka bentuk cip SiC MOSFET get parit 650V dan 1200V.