De investering in het siliciumcarbideproject van Sanan STMicroelectronics bedraagt ​​30 miljard, met een verwachte jaarlijkse omzet van 17 miljard

De totale investering in het Sanan ST-siliciumcarbideproject bedraagt ​​ongeveer RMB 30 miljard. Nadat het project is voltooid, zal het de eerste 8-inch siliciumcarbidesubstraat- en waferproductielijn van het land worden, met een jaarlijkse productiecapaciteit van 480.000 stuks 8-inch siliciumcarbidesubstraten en MOSFET-stroomchips van autokwaliteit. De jaarlijkse omzet zal naar verwachting 17 miljard yuan bedragen, wat Chongqing effectief zal bevorderen tot een samengesteld halfgeleiderkapitaal van de derde generatie.