La inversión en el proyecto de carburo de silicio de Sanan STMicroelectronics es de 30 mil millones y se espera que los ingresos anuales alcancen los 17 mil millones.

La inversión total en el proyecto de carburo de silicio Sanan ST es de aproximadamente 30 mil millones de RMB. Una vez completado el proyecto, se convertirá en la primera línea de fabricación de obleas y sustratos de carburo de silicio de 8 pulgadas del país, con una capacidad de producción anual de 480.000 piezas de sustratos de carburo de silicio de 8 pulgadas y chips de potencia MOSFET de grado automotriz. Se espera que los ingresos anuales alcancen los 17 mil millones de yuanes, lo que promoverá efectivamente a Chongqing para que se convierta en una capital de semiconductores compuestos de tercera generación.