Sanan STMicroelectronics Silicon Carbide Projet Investitioun ass 30 Milliarden, mat alljährlechen Einnahmen erwaart 17 Milliarden z'erreechen

D'Gesamtinvestitioun am Sanan ST Siliziumkarbidprojet ass ongeféier RMB 30 Milliarde. Nodeems de Projet ofgeschloss ass, wäert et dem Land säin éischten 8-Zoll Siliciumcarbid Substrat a Wafer Fabrikatiounslinn ginn, mat enger jährlecher Produktiounskapazitéit vu 480,000 Stéck 8-Zoll Siliziumkarbidsubstrater an Automotive-Grad MOSFET Power Chips. Jährlech Einnahmen ginn erwaart 17 Milliarden Yuan z'erreechen, wat Chongqing effektiv fördert fir eng drëtt Generatioun Compound Hallefleitkapital ze ginn.