Інвестиції в проект карбіду кремнію Sanan STMicroelectronics становлять 30 мільярдів, а річний дохід очікується на рівні 17 мільярдів

Загальний обсяг інвестицій у проект виробництва карбіду кремнію Sanan ST становить приблизно 30 мільярдів юанів. Після завершення проекту це стане першою в країні лінією з виробництва 8-дюймової підкладки з карбіду кремнію та пластин з річною виробничою потужністю 480 000 одиниць 8-дюймової підкладки з карбіду кремнію та силових чіпів MOSFET автомобільного класу. Очікується, що річний дохід досягне 17 мільярдів юанів, що ефективно сприятиме тому, щоб Чунцін став столицею складних напівпровідників третього покоління.