Ulaganje San'an STMicroelectronics projekta silicij karbida iznosi 30 milijardi, a očekuje se da će godišnji prihod dosegnuti 17 milijardi

Ukupna investicija u Sanan ST projekt silicijevog karbida iznosi približno 30 milijardi RMB. Nakon završetka projekta, to će postati prva proizvodna linija za 8-inčne silicij-karbidne supstrate i pločice u zemlji, s godišnjim proizvodnim kapacitetom od 480.000 komada 8-inčnih silicij-karbidnih supstrata i motornih MOSFET čipova. Očekuje se da će godišnji prihod dosegnuti 17 milijardi juana, što će učinkovito promovirati Chongqing da postane prijestolnica treće generacije složenih poluvodiča.