Sanan STMicroelectronics silicon carbide ການລົງທຶນໂຄງການແມ່ນ 30 ຕື້, ມີລາຍຮັບປະຈໍາປີຄາດວ່າຈະບັນລຸ 17 ຕື້.

471
ການລົງທຶນທັງໝົດໃນໂຄງການ Sanan ST silicon carbide ແມ່ນປະມານ 30 ຕື້ RMB. ພາຍຫຼັງໂຄງການດັ່ງກ່າວສຳເລັດແລ້ວ, ມັນຈະກາຍເປັນສາຍການຜະລິດຊິລິໂຄນຄາໄບ້ຂະໜາດ 8 ນິ້ວແຫ່ງທຳອິດຂອງປະເທດ, ໂດຍມີກຳລັງການຜະລິດຕໍ່ປີ 480,000 ຊິ້ນຂອງແຜ່ນຮອງຊິລິຄອນຄາໄບ 8 ນິ້ວ ແລະ ຊິບພະລັງງານ MOSFET ລະດັບລົດຍົນ. ຄາດວ່າລາຍຮັບຕໍ່ປີຈະບັນລຸເຖິງ 17 ຕື້ຢວນ, ເຊິ່ງຈະສົ່ງເສີມເມືອງຈົງຊິງໃຫ້ກາຍເປັນນະຄອນຫຼວງຂອງສານປະກອບອາມິຄອນດັກເຕີອັນດັບສາມ.