Sənan STMicroelectronics silisium karbid layihəsinin investisiyası 30 milyard, illik gəlirinin 17 milyarda çatması gözlənilir

Sənan ST silisium karbid layihəsinə ümumi investisiya təxminən 30 milyard RMB-dir. Layihə başa çatdıqdan sonra o, illik 480.000 ədəd 8 düymlük silisium karbid substratı və avtomobil dərəcəli MOSFET güc çipləri istehsal gücü ilə ölkənin ilk 8 düymlük silisium karbid substratı və vafli istehsalı xətti olacaq. İllik gəlirin 17 milyard yuana çatacağı gözlənilir ki, bu da Chongqing-in üçüncü nəsil mürəkkəb yarımkeçirici kapitala çevrilməsinə təsirli şəkildə kömək edəcək.