Sanan STMicroelectronics inversión proyecto carburo de silicio ha'e 30.000 millones, péva ingreso anual oñeha'ãrõva oguahë 17.000 millones

Pe inversión total proyecto carburo de silicio Sanan ST-pe ha'e haimete 30.000 millones de RMB. Oñemohu'ã rire proyecto, oikóta peteîha línea de fabricación sustrato ha oblea carburo de silicio 8 pulgadas tetãme, orekóva capacidad de producción anual 480.000 pieza sustrato carburo de silicio 8 pulgadas ha chips de potencia MOSFET grado automotriz. Oñeha'ãrõ ingreso anual oguahë 17.000 millones de yuanes, péva efectivamente omokyre'ÿva Chongqing oiko haguã capital semiconductor compuesto tercera generación.