全球领先的功率半导体制造商英诺赛科及其全资子公司英诺赛科(苏州)半导体有限公司,已向江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技(中国)有限公司、英飞凌科技(无锡)有限公司及苏州芯沃科电子科技有限公司,指控他们侵犯了公司的两项氮化镓(GaN)相关专利。这两项专利分别涉及氮化镓功率器件及其制备方法和氮化物基半导体器件及其制造方法。英诺赛科表示,这三家公司未经授权便在中国市场推广和销售涉嫌侵权的产品,因此应承担相应的法律责任。
全球领先的功率半导体制造商英诺赛科及其全资子公司英诺赛科(苏州)半导体有限公司,已向江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技(中国)有限公司、英飞凌科技(无锡)有限公司及苏州芯沃科电子科技有限公司,指控他们侵犯了公司的两项氮化镓(GaN)相关专利。这两项专利分别涉及氮化镓功率器件及其制备方法和氮化物基半导体器件及其制造方法。英诺赛科表示,这三家公司未经授权便在中国市场推广和销售涉嫌侵权的产品,因此应承担相应的法律责任。