ROHM Semiconductor atidaro antrąją gamyklą Miyazaki prefektūroje, Japonijoje, gaminančią SiC substratus

159
„Rohm Semiconductor“ prezidentas Isao Matsumoto paskelbė, kad Mijazakio prefektūroje, Japonijoje, bus atidaryta antroji gamykla, gaminanti 8 colių SiC substratus, daugiausia įmonės vidaus reikmėms, ir turėtų pradėti gaminti 2024 m. Tai pirmas kartas, kai ROHM Japonijoje gamina SiC substratus.