Tianyue Advanced prevede di raccogliere 300 milioni di yuan per il progetto di miglioramento della tecnologia del substrato in carburo di silicio di grado automobilistico da 8 pollici

Tianyue Advanced ha annunciato che raccoglierà 300 milioni di yuan per il suo progetto di miglioramento della tecnologia di preparazione del substrato in carburo di silicio di grado automobilistico da 8 pollici. Le principali direzioni di ricerca e sviluppo di questo progetto includono la simulazione del campo termico di crescita del SiC, il controllo dello stress del cristallo singolo SiC, ecc. Si prevede che l'investimento totale del progetto ammonterà a circa 386 milioni di yuan, con un periodo di costruzione di 24 mesi. Sarà realizzato presso lo stabilimento esistente a Tianyue, Shanghai. Allo stato attuale il progetto è stato registrato e sono in corso di predisposizione le procedure di valutazione di impatto ambientale.