„Tianyue Advanced“ planuoja surinkti 300 milijonų juanių už 8 colių automobiliams skirto silicio karbido substrato technologijos tobulinimo projektą

„Tianyue Advanced“ paskelbė, kad surinks 300 milijonų juanių savo 8 colių silicio karbido substrato paruošimo technologijos tobulinimo projektui. Pagrindinės šio projekto tyrimų ir plėtros kryptys apima SiC augimo šiluminio lauko modeliavimą, SiC monokristalų įtempių valdymą ir kt. Numatoma, kad bendra investicija į projektą sudarys apie 386 mln. juanių, o statybos laikotarpis – 24 mėnesiai. Šiuo metu projektas yra įregistruotas, rengiamos poveikio aplinkai vertinimo procedūros.