D'Recetten vum Hunan Sanan Siliziumkarbidprojet, deen héich Hoffnungen huet, an der zweeter Halschent vum 2023 war net sou gutt wéi an der éischter Halschent vum Joer, wesentlech méi niddereg wéi erwaart. Erklärt w.e.g. spezifesch firwat.

Sanan Optoelectronics: Hunan Sanan wäert e Gesamtjährlecht Akommes vun 951 Milliounen Yuan an der zweeter Halschent vun 2023 erreechen wéinst dem Tempo vun der Clientacquisitioun. Déi drëtt Generatioun Hallefleit Kraaftelektronik Produkter representéiert vu Siliziumkarbid si wichteg Kärgeräter déi d'nohalteg Entwécklung vun neien Energiegefierer ënnerstëtzen, Photovoltaik Energielagerung, Héichgeschwindeg Eisebunnstransit, Smart Grid an aner Industrien, an hir Uwendungspenetratioun a verschiddene Felder beschleunegt . D'Firma Automotive-Schouljoer 1200V / 16mΩ Siliciumcarbid MOSFET fir den Haaptfueren vun elektresche Gefierer huet Zouverlässegkeetsprobleemer iwwerwonnen an den AEC-Q101 Standard passéiert, a gëtt scho vu Schlëssel nei Energie Gefier Clienten verifizéiert 1700V / 1Ω an 1200V /32mΩ Siliciumcarbid MOSFET gouf op enger klenger Skala an de Photovoltaik- a Ladestapelfelder verschéckt. Hunan Sanan wäert Silicon Carbide Substrat Epitaxy beschleunegen, héich Effizienz an héich Zouverlässegkeet Silizium Carbide Dioden an eng ganz Palette vun 2000V / 1700V / 1200V / 650V Siliziumcarbid MOSFET Produkter, weider Clienten mat qualitativ héichwäerteg Produkter a qualitativ héichwäerteg Servicer ubidden. , a bäidroe fir d'Virdeeler vun der Firma auszebauen.