Kas teie liitpooljuhte saab kasutada uute energiasõidukite ülikiireks laadimiseks? Praegusel galliumnitriidi kiirlaadimise turul on laialdased väljavaated. Kas teie ettevõttel on selles valdkonnas mingeid arenguplaane?

San'an Optoelectronics: ettevõtte ränikarbiidi tooteid on laialdaselt kasutatud fotogalvaanilises, energiasalvestuses, uutes energiasõidukites, laadimisvaiades ja muudes valdkondades. Elektrisõidukite põhiajami jaoks kasutatav mootorsõidukiklassi 1200 V/16 mΩ ränikarbiidist MOSFET on ületanud töökindlusprobleemid ja läbinud AEC-Q101 standardi ning seda juba kontrollitakse uutes tööstuslikes 1700 V/1 Ω moodulites 1200V/32mΩ ränikarbiidist MOSFET on väikeses mahus tarnitud fotogalvaaniliste ja laadimisvaiade väljadele. Ettevõtte ränipõhine galliumnitriid omab juba olmeelektroonika turgudel kasutatavat 650 V kiibi tehnoloogiaplatvormi, nagu mobiiltelefonide kiirlaadimine. Lisaks on ettevõte välja töötanud suure voolutugevusega ja suure töökindlusega 650 V, mida kasutatakse tööstuslikes toiteallikates, näiteks. andmekeskustena ja tehisintellektina -900 V kõrgepinge kiibi tehnoloogiaplatvormina ning toetades madalpingeseadmete tehnoloogiat, töötas välja autoklassi GaN-kiibi tehnoloogiaplatvormi, mida kasutatakse sellistes võtmekomponentides nagu kerged autolaadijad.