Sveiki, Sekretor Dong, šiandien perskaičiau straipsnį ir sužinojau, kad skystos fazės SiC substrato paruošimo metodas turi akivaizdžių pranašumų, palyginti su PVT metodu, jei taip, ar atlikote tyrimą mažas bandymas ar bandomoji gamybos linija? Be to, ketvirtos kartos puslaidininkinės medžiagos, kurių eksportą riboja JAV, taip pat yra viena iš profesoriaus Xu Xiangang tyrimų krypčių. Ar jūsų įmonė bendradarbiauja su Šandongo universitetu ketvirtos kartos puslaidininkių srityje? Jei yra konfidencialumo reikalavimas, galite atsakyti: per daug pažengęs, kad būtų rodomas. Ačiū!

Tianyue Xianjin: Gerbiami investuotojai, sveiki! Silicio karbido substrato paruošimo technologijos apima PVT (fizinį garų transportavimą), tirpalo metodą ir aukštos temperatūros garų fazės cheminio nusodinimo metodą Šiuo metu pramonėje daugiausia naudojamas PVT metodas silicio karbido monokristalų auginimui. Bendrovė jau daugiau nei dešimt metų giliai užsiima silicio karbido substratų sritimi ir visada buvo technologinės plėtros priešakyje „Skystosios fazės silicio karbido monokristalų paruošimo technologija“ yra viena iš anksčiau su ja susijusių technologijų. Įmonė visada laikosi „kietųjų technologijų“, atidžiai seka pramonės technologijų plėtros tendencijas, atkakliai laikosi MTEP ir inovacijų, kaip įmonės ilgalaikės plėtros gyvybingumo, naudojasi puslaidininkių pramonės plėtros galimybėmis, nuolat stiprina savo veiklos galimybes. , siekia plėsti pelno augimo taškus ir nuolat siekia didinti įmonės vertę. Žaviuosi ir dėkoju už gilų pramonės supratimą, dėmesį ir paramą įmonei bei linkiu laimingo gyvenimo!