مرحبًا، السكرتير دونج. قرأت مقالاً اليوم وعلمت أن طريقة تحضير ركيزة SiC في الطور السائل لها مزايا تكلفة واضحة مقارنة بطريقة PVT. أتساءل عما إذا كانت الشركة قد أجرت بحثًا حول طريقة الطور السائل. إذا كان الأمر كذلك، فهل أجريت بحثًا؟ تجربة صغيرة؟ أم خط إنتاج تجريبي؟ بالإضافة إلى ذلك، فإن مواد أشباه الموصلات من الجيل الرابع التي تفرض الولايات المتحدة قيودًا على صادراتها هي أيضًا أحد اتجاهات البحث التي يوجهها البروفيسور Xu Xiangang. هل لشركتك أي تعاون صناعي مع جامعة شاندونغ بشأن أشباه الموصلات من الجيل الرابع؟ إذا كان هناك متطلب يتعلق بالسرية، فيمكنك الإجابة: متقدم جدًا بحيث لا يمكن عرضه. شكرًا!

Tianyue Advanced: عزيزي المستثمرون، مرحباً! تتضمن تقنيات تحضير ركيزة كربيد السيليكون طريقة PVT (نقل البخار الفيزيائي) وطريقة المحلول وطريقة الترسيب الكيميائي لمرحلة البخار عالية الحرارة. حاليًا، تستخدم الصناعة بشكل أساسي طريقة PVT لنمو بلورة كربيد السيليكون المفردة. لقد انخرطت الشركة بعمق في مجال ركائز كربيد السيليكون لأكثر من عشر سنوات وكانت دائمًا في طليعة التطور التكنولوجي. "تكنولوجيا تحضير بلورة واحدة من كربيد السيليكون في الطور السائل" هي واحدة من التقنيات ذات الصلة السابقة للشركة. تلتزم الشركة دائمًا بـ "التكنولوجيا الصارمة"، وتتابع عن كثب اتجاهات تطوير تكنولوجيا الصناعة، وتصر على البحث والتطوير والابتكار باعتبارهما حيوية التطوير الطويل الأجل للشركة، وتغتنم فرص تطوير صناعة أشباه الموصلات، وتعمل باستمرار على تعزيز قدراتها التشغيلية الخاصة وتسعى الشركة إلى توسيع نقاط نمو الأرباح، وتسعى باستمرار إلى تعزيز قيمة الشركة. أعجب وأشكركم على فهمكم العميق للصناعة واهتمامكم ودعمكم للشركة، وأتمنى لكم حياة سعيدة!