東威半導体：新世代IGBT技術と第3世代半導体SiCデバイスに注力

東維半導体は2008年に設立され、蘇州に本社を置き、主に半導体デバイスの研究開発と販売を行っています。東維半導体は、新世代IGBT技術や第三世代半導体SiCデバイスにおいて豊富な研究開発経験を有しており、その製品は新エネルギー車の駆動、バッテリー保護、同期整流などの分野で広く使用されています。