Dongwei Semiconductor: Fokus på den nye generation af IGBT-teknologi og tredje generation af halvleder SiC-enheder

Dongwei Semiconductor, grundlagt i 2008 og med hovedkontor i Suzhou, er hovedsageligt engageret i forskning og udvikling og salg af halvlederenheder. Dongwei Semiconductor har rig F&U-erfaring inden for den nye generation af IGBT-teknologi og tredje generation af halvledere SiC-enheder. Dens produkter bruges i vid udstrækning inden for nye energikøretøjer, batteribeskyttelse, synkron ensretning og andre områder.