Dongwei Semiconductor: Fokus op déi nei Generatioun vun IGBT Technologie an déi drëtt Generatioun vun semiconductor SiC Apparater

Dongwei Semiconductor, gegrënnt an 2008 a Sëtz zu Suzhou, ass haaptsächlech an der Fuerschung an Entwécklung a Verkaf vun semiconductor Apparater engagéiert. Dongwei Semiconductor huet räich R&D Erfarung an der neier Generatioun IGBT Technologie an Drëtt Generatioun Halbleiter SiC Geräter.