Dongwei Semiconductor: Fokuserer på den nye generasjonen IGBT-teknologi og tredje generasjon SiC-halvleder-enheter

Dongwei Semiconductor, grunnlagt i 2008 og med hovedkontor i Suzhou, er hovedsakelig engasjert i forskning og utvikling og salg av halvlederenheter. Dongwei Semiconductor har rik FoU-erfaring innen nygenerasjons IGBT-teknologi og tredjegenerasjons halvleder SiC-enheter. Produktene er mye brukt i ny energikjøretøy, batteribeskyttelse, synkron retting og andre felt.