Dongwei Semiconductor: Concentrându-se pe noua generație de tehnologie IGBT și a treia generație de dispozitive SiC semiconductoare

Dongwei Semiconductor, fondată în 2008 și cu sediul în Suzhou, este implicată în principal în cercetarea, dezvoltarea și vânzarea de dispozitive semiconductoare. Dongwei Semiconductor are o experiență bogată în cercetare și dezvoltare în tehnologia IGBT de nouă generație și dispozitivele semiconductoare SiC de a treia generație.