Dongwei Semiconductor៖ ផ្តោតលើបច្ចេកវិទ្យា IGBT ជំនាន់ថ្មី និងឧបករណ៍ Semiconductor SiC ជំនាន់ទីបី

Dongwei Semiconductor ដែលត្រូវបានបង្កើតឡើងក្នុងឆ្នាំ 2008 និងមានទីស្នាក់ការកណ្តាលនៅទីក្រុង Suzhou ត្រូវបានចូលរួមជាចម្បងនៅក្នុងការស្រាវជ្រាវ និងការអភិវឌ្ឍន៍ និងការលក់ឧបករណ៍ semiconductor ។ Dongwei Semiconductor មានបទពិសោធន៍ R&D ដ៏សំបូរបែបនៅក្នុងបច្ចេកវិទ្យា IGBT ជំនាន់ថ្មី និងឧបករណ៍ semiconductor SiC ជំនាន់ទី 3 ផលិតផលរបស់វាត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងរថយន្តថាមពលថ្មី ការការពារថ្ម ការកែតម្រូវសមកាលកម្ម និងផ្នែកផ្សេងៗទៀត។