Dongwei Semiconductor: Fokus op die nuwe generasie IGBT-tegnologie en die derde generasie halfgeleier SiC-toestelle

Dongwei Semiconductor, gestig in 2008 en met sy hoofkwartier in Suzhou, is hoofsaaklik betrokke by die navorsing en ontwikkeling en verkope van halfgeleiertoestelle. Dongwei Semiconductor het 'n ryk R&D-ervaring in nuwe generasie IGBT-tegnologie en derdegenerasie-halfgeleier SiC-toestelle.