Dongwei Semiconductor: Ojesarekóva tecnología IGBT generación pyahu ha mbohapyha generación dispositivo SiC semiconductor rehe

Dongwei Semiconductor, oñemopyendáva ary 2008 ha orekóva sede Suzhou-pe, oime principalmente investigación ha desarrollo ha venta de dispositivos semiconductores. Dongwei Semiconductor oreko rico experiencia I+D tecnología IGBT generación pyahu ha umi dispositivo SiC semiconductor tercera generación Iproducto ojeporu heta mba'yrumýi energía pyahu, protección batería, rectificación síncrona ha ambue ámbito.