Star Semiconductor atver jaunu pētniecības un attīstības centru Cīrihē, Šveicē

2023. gadā Star Semiconductor nodibināja jaunu pētniecības un attīstības centru Cīrihē, Šveicē. Cīrihes pētniecības un attīstības centrs ir Star Semiconductor otrais aizjūras pētniecības un attīstības centrs pēc Nirnbergas pētniecības un attīstības centra. 2023. gadā IGBT moduļu pārdošanas ieņēmumi veidoja 91,55% no Star Semiconductor pamatdarbības ieņēmumiem. Star Semiconductor ražoja automobiļu līmeņa IGBT moduļus galvenajiem motoru kontrolieriem, un kopumā vairāk nekā 2 miljoni galveno motoru kontrolieru komplekti ir paredzēti jauniem enerģijas transportlīdzekļiem es, un elektroniskais stūres pastiprinātājs ir vēl vairāk palielinājies. Star Semiconductor pamatdarbība ir jaudas pusvadītāju mikroshēmu un moduļu projektēšana, izstrāde, ražošana un pārdošana, galvenokārt uz IGBT un SiC bāzes. Star Semiconductor jau sen ir apņēmies izstrādāt un apstrādāt jaudas mikroshēmas, piemēram, IGBT, ātrās atkopšanas diodes, MOSFET, kā arī tādu jaudas moduļu kā IGBT un SiC MOSFET projektēšanu, ražošanu un testēšanu. Tās produkti tiek plaši izmantoti rūpnieciskajā kontrolē un barošanas apgādē, fotoelementos, jaunos enerģijas transportlīdzekļos, baltās ierīcēs un citās jomās.