GlobalWafers firma un memorando preliminar con el Departamento de Comercio de EE. UU. y planea invertir 4 mil millones de dólares para construir una fábrica de obleas en Estados Unidos

El Departamento de Comercio de Estados Unidos anunció el 17 de julio que había firmado un memorando de entendimiento preliminar no vinculante con GlobalWafers, el tercer mayor proveedor de obleas de semiconductores del mundo. GlobalWafers se ha comprometido a invertir aproximadamente US$4.000 millones (aproximadamente RMB 29.000 millones) en Estados Unidos para construir dos plantas de fabricación de obleas de 12 pulgadas. Entre ellos, GlobalWafers construirá una planta avanzada de fabricación de obleas de silicio de 300 mm en Sherman, Texas, y una nueva planta de obleas de silicio sobre aislante ("SOI") de 300 mm en St. Peters, Missouri. GlobalWafers también planea convertir una parte de su actual planta de fabricación de obleas epitaxiales de silicio en Sherman, Texas, a la fabricación de obleas epitaxiales de carburo de silicio ("SiC"), produciendo obleas epitaxiales de SiC de 150 mm y 200 mm.