GlobalWafers подписывает предварительный меморандум с Министерством торговли США, планирует инвестировать 4 млрд долларов в строительство завода по производству пластин в США

Министерство торговли США 17 июля объявило о подписании необязательного предварительного меморандума о взаимопонимании с GlobalWafers, третьим по величине в мире поставщиком полупроводниковых пластин. Компания GlobalWafers пообещала инвестировать около 4 млрд долларов США (около 29 млрд юаней) в строительство двух заводов по производству 12-дюймовых пластин в США. В частности, GlobalWafers построит современный завод по производству 300-миллиметровых кремниевых пластин в Шермане, штат Техас, и новый завод по производству 300-миллиметровых пластин «кремний на изоляторе» («SOI») в Сент-Питерсе, штат Миссури. Компания GlobalWafers также планирует переоборудовать часть своего существующего завода по производству кремниевых эпитаксиальных пластин в Шермане, штат Техас, на производство эпитаксиальных пластин из карбида кремния («SiC»), выпуская эпитаксиальные пластины SiC размером 150 мм и 200 мм.