GlobalWafers podpisuje predbežné memorandum s ministerstvom obchodu USA, plánuje investovať 4 miliardy dolárov do výstavby továrne na doštičky v Spojených štátoch

Ministerstvo obchodu USA 17. júla oznámilo, že podpísalo nezáväzné predbežné memorandum o porozumení s GlobalWafers, tretím najväčším svetovým dodávateľom polovodičových doštičiek. GlobalWafers sa zaviazala investovať približne 4 miliardy USD (približne 29 miliárd RMB) v Spojených štátoch do vybudovania dvoch 12-palcových závodov na výrobu doštičiek. Medzi nimi GlobalWafers vybuduje pokročilý závod na výrobu 300 mm kremíkových plátkov v Sherman, Texas a nový závod na výrobu 300 mm kremíkových plátkov ("SOI") v St. Peters, Missouri. GlobalWafers tiež plánuje previesť časť svojho existujúceho závodu na výrobu kremíkových epitaxných plátkov v Sherman v Texase na výrobu epitaxných plátkov z karbidu kremíka ("SiC"), pričom vyrába 150 mm a 200 mm epitaxné plátky SiC.