GlobalWafers ចុះហត្ថលេខាលើអនុស្សរណៈបឋមជាមួយក្រសួងពាណិជ្ជកម្មសហរដ្ឋអាមេរិក គ្រោងនឹងបណ្តាក់ទុនចំនួន 4 ពាន់លានដុល្លារ ដើម្បីបង្កើតរោងចក្រ wafer នៅសហរដ្ឋអាមេរិក។

ក្រសួងពាណិជ្ជកម្មអាមេរិកបានប្រកាសកាលពីថ្ងៃទី 17 ខែកក្កដាថា ខ្លួនបានចុះហត្ថលេខាលើអនុស្សរណៈនៃការយោគយល់គ្នាបឋមដែលមិនជាប់កាតព្វកិច្ចជាមួយក្រុមហ៊ុន GlobalWafers ដែលជាក្រុមហ៊ុនផ្គត់ផ្គង់ wafer semiconductor ធំជាងគេទីបីរបស់ពិភពលោក។ GlobalWafers បានសន្យាថានឹងវិនិយោគប្រមាណ 4 ពាន់លានដុល្លារអាមេរិក (ប្រហែល 29 ពាន់លាន RMB) នៅសហរដ្ឋអាមេរិកដើម្បីបង្កើតរោងចក្រផលិត wafer ទំហំ 12 អ៊ីញចំនួនពីរ។ ក្នុងចំណោមពួកគេ GlobalWafers នឹងសាងសង់រោងចក្រផលិត wafer ស៊ីលីកុន 300mm កម្រិតខ្ពស់នៅ Sherman រដ្ឋ Texas និងរោងចក្រ wafer 300mm silicon-on-insulator ("SOI") នៅ St. Peters រដ្ឋ Missouri ។ GlobalWafers ក៏មានគម្រោងបំប្លែងផ្នែកមួយនៃកន្លែងផលិត wafer ស៊ីលីកុន epitaxial wafer ដែលមានស្រាប់របស់ខ្លួននៅក្នុងទីក្រុង Sherman រដ្ឋ Texas ទៅជាការផលិតស៊ីលីកុន carbide ("SiC") epitaxial wafers ដែលផលិត 150mm និង 200mm SiC epitaxial wafers។