GlobalWafers یادداشت اولیه ای را با وزارت بازرگانی ایالات متحده امضا کرد و قصد دارد 4 میلیارد دلار برای ساخت کارخانه ویفر در ایالات متحده سرمایه گذاری کند.

وزارت بازرگانی ایالات متحده در 17 ژوئیه اعلام کرد که یک یادداشت تفاهم اولیه غیر الزام آور با GlobalWafers، سومین تامین کننده بزرگ ویفر نیمه هادی جهان امضا کرده است. GlobalWafers متعهد شده است که تقریباً 4 میلیارد دلار آمریکا (تقریباً 29 میلیارد یوان) در ایالات متحده برای ساخت دو کارخانه تولید ویفر 12 اینچی سرمایه گذاری کند. در میان آنها، GlobalWafers یک کارخانه پیشرفته تولید ویفر سیلیکونی 300 میلی متری در شرمن، تگزاس، و یک کارخانه ویفر 300 میلی متری سیلیکون روی عایق ("SOI") در سنت پیترز، میسوری خواهد ساخت. GlobalWafers همچنین قصد دارد بخشی از تاسیسات تولید ویفر همپوست سیلیکونی موجود خود در شرمن، تگزاس را به تولید ویفر اپیتاکسیال کاربید سیلیکونی ("SiC") تبدیل کند و ویفرهای اپیتاکسیال 150 و 200 میلی‌متری SiC را تولید کند.