GlobalWafers ხელს აწერს წინასწარ მემორანდუმს აშშ-ს ვაჭრობის დეპარტამენტთან, გეგმავს 4 მილიარდი დოლარის ინვესტირებას ვაფლის ქარხნის ასაშენებლად შეერთებულ შტატებში.

აშშ-ს ვაჭრობის დეპარტამენტმა 17 ივლისს გამოაცხადა, რომ ხელი მოაწერა არასავალდებულო წინასწარი ურთიერთგაგების მემორანდუმს GlobalWafers-თან, მსოფლიოში სიდიდით მესამე ნახევარგამტარული ვაფლის მიმწოდებელთან. GlobalWafers-მა პირობა დადო, რომ დაახლოებით 4 მილიარდი აშშ დოლარის (დაახლოებით 29 მილიარდი RMB) ინვესტიციას განახორციელებს შეერთებულ შტატებში ორი 12 დიუმიანი ვაფლის მწარმოებელი ქარხნის ასაშენებლად. მათ შორის, GlobalWafers ააშენებს მოწინავე 300 მმ სილიკონის ვაფლის მწარმოებელ ქარხანას შერმანში, ტეხასი და ახალ 300 მმ სილიკონის იზოლატორზე ("SOI") ვაფლის ქარხანას სენტ-პეტერსში, მისური. GlobalWafers ასევე გეგმავს თავისი არსებული სილიკონის ეპიტაქსიალური ვაფლის წარმოების ქარხნის ნაწილის გადაქცევას შერმანში, ტეხასის შტატში, სილიციუმის კარბიდის ("SiC") ეპიტაქსიალური ვაფლის წარმოებად, რომელიც აწარმოებს 150 მმ და 200 მმ SiC ეპიტაქსიალურ ვაფლებს.