GlobalWafers signa praevia memorandum cum US Department of Commerce, cogitat ad obsidendam $4 miliarda laganum officinam aedificare in Civitatibus Foederatis Americae

US Department of Commercium denuntiavit die 17 mensis Iulii se non obligare memorandum praeliminarem intellegendi cum GlobalWafers, tertia-maximae laganae semiconductoris mundi elit. GlobalWafers obligavit se obsidere circa US$4 miliardis (circiter RMB 29 miliardis) in Civitatibus Foederatis Americae ad duas 12 inch laganum plantarum fabricandis aedificare. Inter eos, GlobalWafers provectiorem 300mm laganum laganum in Sherman, Texas, et novam 300mm silicon-insulatoris ("SOI") plantam lagani in S. Peters, Missouri aedificabit. GlobalWafers etiam cogitat partem lagani lagani fabricandi in Sherman, Texas ad carbidam pii ("SiC") exsistentis epitaxial lagani ("SiC") fabricandi epitaxialem lagani producentem, 150mm et 200mm laganum epitaxialem SiC producentem.