Principaux produits de Zhanxin Electronics

Zhanxin Electronics a réuni une équipe de base expérimentée en matière de processus et de conception d'appareils SiC et de conception de puces de commande MOSFET SiC en provenance du pays et de l'étranger. Depuis sa création, elle a commencé la recherche et le développement de produits MOSFET SiC de 6 pouces. Devenue la première entreprise en Chine à maîtriser les processus SiC MOSFET et SBD de 6 pouces, ainsi que les puces de pilote SiC MOSFET. En septembre 2020, le premier MOSFET SiC 1200V 80mOhm a obtenu la certification JEDEC. À ce jour, nous avons reçu plus de KKpcs de demandes et de commandes d'achat de MOSFET SiC. En septembre 2021, Zhanxin Electronics a officiellement annoncé la production en série de modules de puissance en demi-pont 1200 V 25 mΩ Full-SiC (IV1B). Sur la base des produits MOSFET SiC et des produits SBD SiC existants, il a encore amélioré la gamme de produits SiC de Zhanxin Electronics et a fourni une solution simple et flexible pour les applications SiC à courant moyen dans les alimentations électriques industrielles, les applications photovoltaïques et d'autres domaines. En juin 2024, le MOSFET SiC 1200 V 13,5 mΩ de troisième génération de Zhanxin Electronics a été lancé. Il existe actuellement trois produits : IV3Q12013T4Z, IV3Q12013BA et IV3Q12013BD. Ils sont principalement utilisés dans les systèmes de propulsion électrique des véhicules. Grâce à leurs performances exceptionnelles, ils ont obtenu des commandes de projets de la part de nombreux clients du secteur de la propulsion électrique des véhicules.