Zhanxin Electronics'in ana ürünleri

Zhanxin Electronics, yurtiçi ve yurtdışından deneyimli SiC proses ve cihaz tasarımı ve SiC MOSFET sürücü çipi tasarımından oluşan bir çekirdek ekip kurmuştur. Kuruluşundan bu yana 6 inçlik SiC MOSFET'in ürün araştırma ve geliştirmesine başlamıştır. Çin'de 6 inç SiC MOSFET ve SBD prosesleri ile SiC MOSFET sürücü çipleri konusunda uzmanlaşan ilk şirket oldu. Eylül 2020'de ilk SiC MOSFET 1200V 80mOhm JEDEC sertifikasını geçti. Şu ana kadar KKpcs'den fazla SiC MOSFET tedarik talebi ve siparişi aldık. Eylül 2021'de Zhanxin Electronics, 1200V 25mΩ Tam-SiC (IV1B) yarım köprü güç modüllerinin seri üretimini resmen duyurdu. Mevcut SiC MOSFET ürünleri ve SiC SBD ürünlerine dayanarak, Zhanxin Electronics'in SiC ürün serisini daha da geliştirdi ve endüstriyel güç kaynakları, fotovoltaik uygulamalar ve diğer alanlardaki orta akım SiC uygulamaları için basit ve esnek bir çözüm sağladı. Haziran 2024'te Zhanxin Electronics'in üçüncü nesil 1200V 13,5mΩ SiC MOSFET'i piyasaya sürüldü. Şu anda üç ürün bulunmaktadır: IV3Q12013T4Z, IV3Q12013BA ve IV3Q12013BD. Bunlar esas olarak araç elektrikli tahrik sistemlerinde kullanılır. Olağanüstü performanslarıyla birçok araç elektrikli tahrik müşterisinden proje siparişleri almışlardır.