Glavni proizvodi Zhanxin Electronics

Zhanxin Electronics okupio je glavni tim iskusnih SiC dizajna procesa i uređaja, te SiC MOSFET dizajn čipova iz zemlje i inozemstva. Od svog osnivanja, započeo je istraživanje proizvoda i razvoj 6-inčnog SiC MOSFET-a. Postala je prva tvrtka u Kini koja je ovladala 6-inčnim SiC MOSFET i SBD procesima, kao i SiC MOSFET pogonskim čipovima. U rujnu 2020. prvi SiC MOSFET 1200V 80mOhm prošao je JEDEC certifikaciju Do sada smo primili više od KK komada SiC MOSFET-a za nabavu zahtjeva i narudžbi. U rujnu 2021. Zhanxin Electronics službeno je najavio masovnu proizvodnju 1200V 25mΩ Full-SiC (IV1B) polumostnih modula napajanja Na temelju postojećih SiC MOSFET proizvoda i SiC SBD proizvoda, dodatno je poboljšao SiC proizvodnu liniju tvrtke Zhanxin Electronics i pružio jednostavno i fleksibilno rješenje za srednje strujne primjene SiC-a u industrijskim izvorima napajanja, fotonaponskim aplikacijama i drugim područjima. U lipnju 2024. Zhanxin Electronics je izdao 1200 V 13,5 mΩ MOSFET-a. Trenutno postoje tri proizvoda: IV3Q12013BA i IV3Q12013BD. Oni se uglavnom koriste u sustavima električnog pogona vozila. Svojim izvanrednim performansama dobili su narudžbe za projekte od mnogih kupaca električnih pogona.