Zhanxin Electronics ၏ အဓိကထုတ်ကုန်များ

Zhanxin Electronics သည် အတွေ့အကြုံရှိသော SiC လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် စက်ပစ္စည်းဒီဇိုင်း၏ အဓိကအဖွဲ့တစ်ဖွဲ့ကို စုစည်းထားပြီး ပြည်တွင်းပြည်ပမှ SiC MOSFET ဒရိုင်ဘာ ချစ်ပ်ဒီဇိုင်းကို တည်ထောင်ချိန်မှစ၍ ၎င်းသည် 6 လက်မ SiC MOSFET ၏ ထုတ်ကုန်သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို စတင်ခဲ့သည်။ 6 လက်မအရွယ် SiC MOSFET နှင့် SBD လုပ်ငန်းစဉ်များအပြင် SiC MOSFET ဒရိုင်ဘာ ချစ်ပ်များကို ကျွမ်းကျင်ပိုင်နိုင်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်သည့် တရုတ်နိုင်ငံရှိ ပထမဆုံးကုမ္ပဏီ ဖြစ်လာခဲ့သည်။ 2020 ခုနှစ် စက်တင်ဘာလတွင်၊ ပထမဆုံး SiC MOSFET 1200V 80mOhm သည် JEDEC အသိအမှတ်ပြုလက်မှတ်ကို ယခုအချိန်အထိ ကျွန်ုပ်တို့ရရှိထားပြီး SiC MOSFET ၏ လိုအပ်ချက်များနှင့် အမှာစာများ KKpcs ထက်ပိုပါသည်။ 2021 ခုနှစ် စက်တင်ဘာလတွင် Zhanxin Electronics သည် 1200V 25mΩ Full-SiC (IV1B) half-bridge power modules များ အမြောက်အမြား ထုတ်လုပ်မှုကို တရားဝင်ကြေငြာခဲ့ပြီး လက်ရှိ SiC MOSFET ထုတ်ကုန်များနှင့် SiC SBD ထုတ်ကုန်များအပေါ် အခြေခံ၍ Zhanxin Electronics ၏ SiC ထုတ်ကုန်လိုင်းအား ရိုးရှင်းပြီး လိုက်လျောညီထွေရှိသော လက်ရှိအသုံးပြုမှုများအတွက် ရိုးရှင်းပြီး လိုက်လျောညီထွေရှိသော ဓါတ်ပုံဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများ၊ ဇွန်လ 2024 ခုနှစ်တွင် Zhanxin Electronics ၏တတိယမျိုးဆက် 1200V 13.5mΩ SiC MOSFET သည် လက်ရှိတွင် ထုတ်ကုန်သုံးမျိုးရှိပြီး IV3Q12013T4Z၊ IV3Q12013BA နှင့် IV3Q12013BD တို့ကို မော်တော်ယာဥ်လျှပ်စစ်မောင်းနှင်မှုစနစ်များဖြင့် အဓိကအသုံးပြုထားသည်။