ຜະລິດຕະພັນຕົ້ນຕໍຂອງ Zhanxin Electronics

Zhanxin Electronics ໄດ້ປະກອບທີມງານຫຼັກຂອງຂະບວນການ SiC ທີ່ມີປະສົບການແລະການອອກແບບອຸປະກອນ, ແລະການອອກແບບຊິບຂັບ SiC MOSFET ຈາກພາຍໃນແລະຕ່າງປະເທດນັບຕັ້ງແຕ່ການສ້າງຕັ້ງ, ມັນໄດ້ເລີ່ມຕົ້ນການຄົ້ນຄວ້າແລະການພັດທະນາຜະລິດຕະພັນຂອງ SiC MOSFET 6 ນິ້ວ. ໄດ້ກາຍເປັນບໍລິສັດທໍາອິດໃນປະເທດຈີນທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງຂະບວນການ SiC MOSFET ແລະ SBD 6 ນິ້ວ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບຊິບຂັບ SiC MOSFET. ໃນເດືອນກັນຍາ 2020, SiC MOSFET 1200V 80mOhm ທໍາອິດໄດ້ຜ່ານການຢັ້ງຢືນ JEDEC ໃນປັດຈຸບັນ, ພວກເຮົາໄດ້ຮັບຫຼາຍກວ່າ KKpcs ຂອງ SiC MOSFET ຄວາມຕ້ອງການແລະຄໍາສັ່ງ. ໃນເດືອນກັນຍາ 2021, Zhanxin Electronics ໄດ້ປະກາດການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງໂມດູນເຄິ່ງຂົວ 1200V 25mΩ Full-SiC (IV1B) ໂດຍອີງໃສ່ຜະລິດຕະພັນ SiC MOSFET ແລະຜະລິດຕະພັນ SiC SBD ທີ່ມີຢູ່ແລ້ວ, ມັນໄດ້ປັບປຸງເພີ່ມເຕີມ Zhanxin Electronics 'SiC ຜະລິດຕະພັນແລະສະຫນອງການແກ້ໄຂການສະຫນອງພະລັງງານໄຟຟ້າຂະຫນາດກາງແລະມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນໃນອຸດສາຫະກໍາອື່ນໆໃນປະຈຸບັນ. ໃນເດືອນມິຖຸນາ 2024, Zhanxin Electronics ' ຮຸ່ນທີສາມ 1200V 13.5mΩ SiC MOSFET ໄດ້ຖືກປ່ອຍອອກມາໃນປັດຈຸບັນມີສາມຜະລິດຕະພັນ: IV3Q12013T4Z, IV3Q12013BA, ແລະ IV3Q12013BD. ເຂົາເຈົ້າໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍໃນລະບົບການຂັບລົດໄຟຟ້າທີ່ໂດດເດັ່ນຂອງພວກເຂົາ.